SK hynix筹划在本年量产375层3D NAND闪存 改用钼材料以冲破工艺瓶颈
据业内消息，SKhynix已完成其375层NAND闪存产品的验证工作，预计将在2026年底前正式在现有工厂中投入量产，以满足不断增长的存储容量需求。这些工厂目前主要生产的是321层V9NAND闪存，未来将通过工艺转换来支持更高层数的堆叠解决方案。
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